ODTでは、お客様にマッチする独自の仕様にて、パワーデバイスの開発を行います。
「こういう仕様のパッケージが販売されていない」「独自の仕様で開発してくれる会社がない」などのお悩みを解決します。
また「こういうものを作りたいんだけど」という、ご相談ベースからの開発も可能です。
多数の案件実績を持つ技術者が、量産までの全てのフェーズでお手伝いいたします。
ODTは、お客様の「作りたい!」を叶え、ゴールまで伴走するパートナーです。
パワーデバイスパッケージ開発におけるODTの守備範囲
パワー半導体開発フロー | 【ODT】 | 大手パワー 半導体メーカー |
A社 | B社 |
---|---|---|---|---|
パワー半導体パッケージ設計開発 | ○ | ○ | × | × |
電気回路設計 | ○ | ○ | × | × |
パッケージ試作 | ○ | △ | ○ | ○ |
電気的特性評価 | ○ | ○ | × | ○ |
パッケージ信頼性評価 | △ | ○ | × | ○ |
量産(ディスクリート/モジュール) | ○ | ○ | × | × |
○:対応可能、 △:一部外注、 ×:対応不可
お客様からは、製品の仕様(定格電流・電圧・サイズ・用途等)のみをご提示いただきます。
Si,SiC,GaN(窒化ガリウム),Ga2O3(酸化ガリウム)の対応実績もありますので、ご相談ください。
試作事例1
試作事例2
試作事例3
試作事例4
熱シミュレーション
電磁界シミュレーション
各種パッケージの開発試作・組立試作もお受けできます。
ケースタイプモジュール・フルモールドタイプモジュール・パワーディスクリートタイプなど、幅広いパッケージでのご対応が可能です。
ダイシェア・ワイヤープル・シェア・ツィザープル等の各種強度試験
パワーサイクル試験のみの受託も可能です。
弊社では自社内に量産ラインも持っており、ご要望に応じた数量の量産を承ります。
パワーデバイスの試作から量産まで、生産対応が可能な工場です。
工程 | 仕様 | ||
---|---|---|---|
ウェーハダイシング | ブレード | ウェーハ径 | Max Φ8″ |
ダイボンディング | 搭載 | ダイサイズ | ロ0.25~20mm |
接合 | 半田 | ディスペンス・プリフォーム | |
ベース接着 | 真空リフロー | ベース板 | Cu |
絶縁基板 | AIN/SiN | ||
Pb-Free | Max:350℃ | ||
ケース接着 | キュア | インサートケース | 2in1/6in1 |
接着剤 | シリコン系 | ||
ワイヤボンディング | ウェッジボンディング (太線タイプ) |
Wire径 | Φ100″~500μm |
Wire材 | AL | ||
Wire長 | 2.0~40mm | ||
ウェッジボンディング (リボンタイプ) |
Wire幅 | 0.5~2.0mm | |
Wire厚 | 0.1~0.3mm | ||
Wire材 | AL | ||
Wire長 | 2.0~40mm | ||
封止 | ポッティング | ゲル | シリコン系 |
樹脂 | エポキシ系 | ||
電気的特性(静特性) | カーブトレーサ | 電圧 | Max : 3,000V |
電流 | Max : 1,000A | ||
出荷形態(※) | ケース | PKG Size | – |
端子接合(※) | 超音波接合 | 端子厚 | t=1.0mm |
PKG Size | 152×92mm |
※対象 FLAP
工程 | 仕様 | |||
---|---|---|---|---|
ウェーハダイシング | ブレード | ウェーハ径 | Max Φ8″ | |
ダイボンディング | 搭載 | ダイサイズ | ロ0.25~20mm | |
接合 | 半田(N2有) | ディスペンス・プリフォーム | ||
ワイヤボンディング | ウェッジボンディング (太線タイプ) |
Wire径 | Φ100″~500μm | |
Wire材 | AL | |||
Wire長 | 2.0~40mm | |||
ウェッジボンディング (リボンタイプ) |
Wire幅 | 0.5~2.0mm | ||
Wire厚 | 0.1~0.3mm | |||
Wire材 | AL | |||
Wire長 | 2.0~40mm | |||
封止 | トランスファモ―ルド | リードフレームサイズ | Max:45×228mm | |
端子トリミング | リードフレーム切断 | PKG Size | □3.0~□15.7 | |
電気的特性 | TO系パッケージ用 オートハンドラー(※) |
DC 測定 | 電圧 | Max : 2,000V |
電流 | Max : 200A | |||
IGBT | ICES,IGES,VTH,VCESAT | |||
MOSFET | IDSS,IGSS,VTH,VDS(ON) | |||
DIODE | VF,IR,VR | |||
熱抵抗 | 電流 | 0.001 ~ 50 (A) | ||
パワータイム (PT) | 300μ ~ 9.99 (s) | |||
測定範囲 | △ VBE/ △ VDS/ △ VGS/ △ VF/ △ VCE | |||
測定範囲 | 000.0 – 999.9mV ( 分解能 0.1mV) | |||
測定範囲 | 0000 – 9999mV ( 分解能 1mV) | |||
電気的特性(静特性) | カーブトレーサ | 電圧 | Max : 3,000V | |
電流 | Max : 1,000A | |||
出荷形態(※) | チューブ | PKG Size | Max:5.3×12.8mm |
※対象 TO-220H(2pin)とTO-247(3pin)
パッケージ | ケースサイズ(mm) | 外観 | ||
---|---|---|---|---|
X | Y | t | ||
SU-1 | 140 | 113 | 21 | |
SU-2 | 152 | 62 | 16.8 | |
FLAP | 71 | 45 | 5 |
パッケージ | 端子数 | ボディサイズ(mm) | 量産 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
X | Y | t | 端子 ピッチ |
|||
TO-220F | 2 | 10 | 16 | 4.7 | 5.08 | – |
3 | 10 | 16 | 4.7 | 2.54 | – | |
TO-220H | 2 | 10.46 | 15.36 | 4.5 | 5.08 | 可 |
3 | 10.46 | 15.4 | 4.5 | 2.54 | – | |
TO-247 | 3 | 15.9 | 21 | 5 | 5.44 | 可 |
TO-264 | 3 | 20 | 24.5 | 5 | 5.45 | – |
※赤太字は、量産可
弊社はお客様のパートナーとなり、製品の完成までしっかり伴走いたします。
お困りのお客様は、どうぞお気軽にお問い合わせください。